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pco.edge 5.5 sCMOS相機在晶圓體檢測中的高效應(yīng)用
瀏覽次數(shù):475 發(fā)布日期:2025-10-10 來源:本站
僅供參考,謝絕轉(zhuǎn)載,否則責任自負
pco.edge 5.5 sCMOS
相機在晶圓體檢測中的高效應(yīng)用
——廣州市元奧儀器有限公司為您解答
在過去的十年里,人們對碳化硅(SiC)器件的興趣顯著增長。SiC是一種寬帶隙半導體,由于其高能量效率,特別用于高功率、高溫和高頻器件。盡管在過去幾年中,SiC基板和外延片的質(zhì)量有了很大的提高,但堆垛層錯(SFs)和基面位錯(BPDs)等關(guān)鍵缺陷仍可能導致雙極退化,最終導致器件完全失效。
為了在芯片級別上識別這些缺陷,已經(jīng)開發(fā)了不同的表征方法,例如缺陷選擇性蝕刻和X射線地形圖。然而,這兩種方法都不適于在設(shè)備生產(chǎn)過程中進行快速的內(nèi)聯(lián)質(zhì)量控制,因為它們要么以破壞性方式工作,要么成本高,時間長,高消耗。
因此,IN EGO開發(fā)了一個新的多通道SiC檢測系統(tǒng),允許在室溫下快速、無損和無接觸地檢測器件生產(chǎn)鏈上SiC芯片的關(guān)鍵缺陷。
INTEGO的系統(tǒng)專為潔凈室環(huán)境IS04設(shè)計,能夠處理100毫米、150毫米和200毫米SiC基片、外延芯片或部分加工的芯片。塊化系統(tǒng)概念允許在檢查方法、l1lumination類型和分辨能力方面進行單獨配置。配合德國Excelitas PCO公司的pco.edge 5.5 sCMOS相機進行檢測,pco.edge 5.5 sCMOS相機相機具有高分辨率,高幀速率、低噪聲、高動態(tài)范圍和量子效率,保證了最佳圖像數(shù)據(jù)和最高圖像質(zhì)量。
INTEGO的尖端系統(tǒng)最多可配備三個獨立檢測站,適用于高吞吐量應(yīng)用或靈活的研發(fā)用途。每個站都有一個高精度顯微鏡臺和一個獨立設(shè)計的光致發(fā)光、差分干涉對比度(DIC)或明暗場顯微鏡單元。根據(jù)所選擇的顯微鏡放大倍數(shù),圖像分辨率可高達0.3Hm/像素,從而能夠檢測、識別和分類許多不同的缺陷甚至小于1Hm。
INTEGO的高度定制化系統(tǒng)可有效優(yōu)化和監(jiān)控不同晶圓類型的生產(chǎn)過程,從而節(jié)省材料和器件生產(chǎn)的時間并降低成本。
德國Excelitas PCO公司的pco.edge 5.5 sCMOS相機,具備高分辨率、高感光度、弱光成像的優(yōu)點,將高速實驗過程完美記錄,為實驗提供強而有力的圖像數(shù)據(jù)支持。
pco.edge 5.5 sCMOS相機配備享有盛譽的科學CMOS(sCMOS)圖像傳感器,可提供清晰圖像和精確測量。pco.edge 5.5 sCMOS相機可進行水冷系統(tǒng)升級,是要求高分辨率、高幀速、16位動態(tài)范圍、可選快門類型和可選彩色圖像傳感器的應(yīng)用的理想之選。
廣州市元奧儀器有限公司作為德國Excelitas PCO公司高速相機在中國的一級代理商,為客戶提供各種高速成像系統(tǒng)解決方案,如對pco.edge 5.5 sCMOS相機或其他相關(guān)產(chǎn)品感到興趣,歡迎前來咨詢。
(文獻部分內(nèi)容摘抄)
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廣州市元奧儀器有限公司
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